MOSFET은 4가지로 구분된다.

 

*MOSFET 타입 예시

N-CH E-MOSFET N채널 / 증강형 → 기본 OFF, +V로 켜짐
P-CH E-MOSFET P채널 / 증강형 → 기본 OFF, –V로 켜짐
N-CH D-MOSFET N채널 / 공핍형 → 기본 ON, –V로 꺼짐
P-CH D-MOSFET P채널 / 공핍형 → 기본 ON, +V로 꺼짐 (거의 안 씀)

 

동작하는 모드에 따라서 Enhancement / Depletion으로 나뉘는데 별 내용은 없다.

동작 방식 Enhancement (증강형) Depletion (공핍형)
기본 상태 OFF ON
게이트 전압 역할 채널 형성 (켜짐) 채널 축소 (꺼짐)
용도 디지털 회로, 스위치 아날로그 회로, 정전류 회로

 

대부분 사용하는 건 Enhancement 형태를 사용한다.

처음에는 막혀있다가 Gate에 적절한 전압이 걸리면 변화가 생겨서 통로가 생기는 구조다. 

 

E-MOSFET으로만 생각해보기로 한다.

P, N은 생각하지말고 심볼만 보면 끊어져있는 형태인 것을 알수 있다.

= 아무것도 안하면 OPEN

 

이제 P와 N을 개입시켜 생각해자.

 

N-ch E-type MOSFET으로 알아보자.

 

N-ch E-MOSFET은 N형 반도체끼리 Short가 나야지 전류가 흐르게 되는 구조다.

P형(+) 반도체를 밀어내기 위해 일반적으로 Vgate > 0 전압을 가해주면 되겠다.

 

하지만 실상은 이것보다 조금 더 복잡한 형태다. 

Vgs​>0 VgVs>0 Vg>Vs로 게이트 전압이 소스 전압보다 커야된다. (자세한 내용은 첨부)

 

간단 뇌피셜~ 왜 Vgs냐?

결국은 Vgate 전압으로 채널을 만들면 Source에서 Drain으로 전자를 끌어가야한다!

 

(전류 방향 Drain -> Source) Drain에 양전압이 걸리고, 만들어진 채널으로 전류가 흘러야하는데

전류는 흐르기 쉬운 곳으로 흐르는데 Gate 전압이 Source 전압보다 낮으면,, 전류가 Source쪽으로 흐를까요?

 

+ 최소한의 Vth = 게이트 생성 문턱 전압 이상의 크기는 가져야 함.

 

이제 실제 P-ch E -MOSFET을 알아보자.

 

STS9P3LLH6 제품인데, 당연히 처음은 꺼져 있고, VGS < 0 인 경우에 도통된다.

Vgs(th) 부분이 -1V~-2V 사이가 걸리게 되면 도통된다.

 

이새끼들 그리기가 귀찮았나.. P MOS 기준으로 뒤집어서 보란다..ㅋㅋ;

 

MOSFET.pdf
4.53MB

 

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