MOSFET은 4가지로 구분된다.
*MOSFET 타입 예시
N-CH E-MOSFET | N채널 / 증강형 → 기본 OFF, +V로 켜짐 |
P-CH E-MOSFET | P채널 / 증강형 → 기본 OFF, –V로 켜짐 |
N-CH D-MOSFET | N채널 / 공핍형 → 기본 ON, –V로 꺼짐 |
P-CH D-MOSFET | P채널 / 공핍형 → 기본 ON, +V로 꺼짐 (거의 안 씀) |
동작하는 모드에 따라서 Enhancement / Depletion으로 나뉘는데 별 내용은 없다.
동작 방식 | Enhancement (증강형) | Depletion (공핍형) |
기본 상태 | OFF | ON |
게이트 전압 역할 | 채널 형성 (켜짐) | 채널 축소 (꺼짐) |
용도 | 디지털 회로, 스위치 | 아날로그 회로, 정전류 회로 |
대부분 사용하는 건 Enhancement 형태를 사용한다.
처음에는 막혀있다가 Gate에 적절한 전압이 걸리면 변화가 생겨서 통로가 생기는 구조다.
E-MOSFET으로만 생각해보기로 한다.
P, N은 생각하지말고 심볼만 보면 끊어져있는 형태인 것을 알수 있다.
= 아무것도 안하면 OPEN
이제 P와 N을 개입시켜 생각해자.
N-ch E-type MOSFET으로 알아보자.
N-ch E-MOSFET은 N형 반도체끼리 Short가 나야지 전류가 흐르게 되는 구조다.
P형(+) 반도체를 밀어내기 위해 일반적으로 Vgate > 0 전압을 가해주면 되겠다.
하지만 실상은 이것보다 조금 더 복잡한 형태다.
Vgs>0 ⇔Vg−Vs>0 ⇔Vg>Vs로 게이트 전압이 소스 전압보다 커야된다. (자세한 내용은 첨부)
간단 뇌피셜~ 왜 Vgs냐?
결국은 Vgate 전압으로 채널을 만들면 Source에서 Drain으로 전자를 끌어가야한다!
(전류 방향 Drain -> Source) Drain에 양전압이 걸리고, 만들어진 채널으로 전류가 흘러야하는데
전류는 흐르기 쉬운 곳으로 흐르는데 Gate 전압이 Source 전압보다 낮으면,, 전류가 Source쪽으로 흐를까요?
+ 최소한의 Vth = 게이트 생성 문턱 전압 이상의 크기는 가져야 함.
이제 실제 P-ch E -MOSFET을 알아보자.
STS9P3LLH6 제품인데, 당연히 처음은 꺼져 있고, VGS < 0 인 경우에 도통된다.
Vgs(th) 부분이 -1V~-2V 사이가 걸리게 되면 도통된다.
이새끼들 그리기가 귀찮았나.. P MOS 기준으로 뒤집어서 보란다..ㅋㅋ;
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