BJT와 MOSFET의 차이

Named 된 것 처럼 구조적 차이가 있다.

 

BJT는 Junction = 접합 / MOSFET 는 FE = Field Effect 를 사용한다.

 

MOSFET은 Gate와 Source 사이에 저항이 엄청 크다.

Gate_Source간 전압이 걸리면 전계 효과에 의해 Path가 생기는 형태로 그냥 그 길을 전자들이 이동하는 형태다.

 

예로 NPN BJT는 Gate 전압이 전압이 유지되는 동안, P 반도체의 전자가 Gate쪽으로 끌려오게 되는데

실제로 Emitter → Collector로 전류가 흐르기 위해서는 VBE > 0.7[V]이상이 필요하다.

VBE > 0.7[V] 조건은 기본적인 Path를 만들기 위함으로, 만약 Base - Emitter 간 전자의 흐름이 없으면

C-E 간 전류는 안흐를 것..근데 이런 경우는 가정하지 않는다.